(NAND) Flash Memory 작동 원리

최근 반도체 관련 이슈가 늘어나면서

많은 사람들이 반도체 공부를 하곤 합니다.

반도체는 공부하면 할 수록

인류 공학의 집적체라고 할 정도로

다양한 학문과 여러 사람이 종사하고 있습니다.

여튼, 그 중에서 오늘은

Flash Memory의 원리를

(아주 간단히) 강의 하고자

공부한 내용을 정리해봤습니다.

자료 출처

뉴튼 2014년 9월호

규석기 시대의 반도체

Sk Hynix 블로그 등

아래 참고 자료 확인

그럼 여기서 예상 되는 질문!

Q1. 절연체가 있는데 어떻게 P형 반도체에 있는 전자가 부유 게이트(플로팅 게이트)로 이동 하나요?

A. 위에도 설명했듯이 터널 절연체는 높은 전압이 걸리면, 

터널 주입 효과로 인해 해당 절연체를 지나 갈 수 있습니다.

Q2. 그림에서 보면 두꺼워 보이는데, 반도체는 왜 얇은거죠?

A. 그림에서는 제가 편의상 크게 그린겁니다.

가장 커 보이는 부유 게이트 두께는 역 30nm이고, 

P형 반도체는 100마이크로미터 두께입니다.

그래서 한개 셀 두깨는 100마이크로미터가 채 되지 않습니다.

Q3. 다른 메모리도 이와 같은 원리인가요?

A.큰 틀에선 같지만, 세세하게는 다릅니다.

예를 들어, NOR 메모리 경우는 셀을 병렬로 연결로 합니다.

출처 : http://imsosimin.com/5

Q4. SLC나 MLC, TLC 경우도 원리가 같나요?

A. 우선 제가 위에 설명 드린 것은 SLC 입니다.

MLC과 TLC의 경우에는 한개의 셀에 전자를 2개, 3개 저장합니다.

예를 들어 MLC의 경우에는

00, 01, 10, 11 이렇게 표현함으로써

전자가 '없다', '조금 있다', '조금 더 있다', '있다' 등으로 나누어서

데이터를 쓰고 확인하는 것입니다.

보다 더 자세한 자료를 원하시는 분들은

http://www.skcareersjournal.com/431

http://blog.skhynix.com/2288

http://imsosimin.com/5

https://namu.wiki/w/플래시%20메모리

http://gamma0burst.tistory.com/593

https://t1.daumcdn.net/cfile/tistory/2139694750E7DDF705 (PDF 파일 입니다)